半导体材料电阻检测设备-日本napson便携式电阻检测仪EC-80P

测量目标
半导体/太阳能电池材料相关(硅,多晶硅,SiC等)
新材料/功能材料相关(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
导电薄膜相关(金属,ITO等)
硅基外延,离子与半导体相关的注入样品化合物(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
其他(请与我们联系)
测量尺寸
无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20mmφ且表面平坦)
测量范围
[电阻] 1m至200Ω・ cm
(所有探头类型的总量程/厚度500um)
[抗剪强度] 10m至3kΩ / sq
(所有探头类型的总量程)
有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
(1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至0.05Ω-cm)
(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
(3 ))高:10至1000Ω/□(0.5至60Ω-cm)
(4)S-高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
(5)太阳能晶片:5至500Ω/□(0。 2至15Ω-cm)
上一篇:电伴热带通电有影响吗?
下一篇:电伴热带长度与电阻的关系
版权与免责声明:凡本网注明“来源:全球制造网”的所有作品,均为浙江兴旺宝明通网络有限公司-全球制造网合法拥有版权或有权使用的作品,未经本网授权不得转载、摘编或利用其它方式使用上述作品。已经本网授权使用作品的,应在授权范围内使用,并注明“来源:全球制造网”。违反上述声明者,本网将追究其相关法律责任。 本网转载并注明自其它来源(非全球制造网)的作品,目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点或和对其真实性负责,不承担此类作品侵权行为的直接责任及连带责任。其他媒体、网站或个人从本网转载时,必须保留本网注明的作品第一来源,并自负版权等法律责任。 如涉及作品内容、版权等问题,请在作品发表之日起一周内与本网联系,否则视为放弃相关权利。
展开全部